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FM200TU-2A中文资料

  • 大小:108.71KB
  • 厂家:MITSUBISHI [Mitsubishi Electric Semiconductor]
  • 描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED PACKAGE
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.3 毫欧 @ 100A,15V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):7.3V @ 10mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:760nC @ 15V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:50000pF @ 10V
  • 功率 - 最大:410W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商设备封装:模块
  • 包装:散装

FM200TU-2A供应商

更新时间:2023-01-31 07:42:25
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